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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), 中文名称绝缘栅双极型晶体管。作为一种功率半导体器件，被广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点。IGBT是能量转换和传输的核心装置。
IGBT的基本结构与特点：
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，通过这两者的复合化，既是使用电子与空穴两种载体的双极元件，同时也是兼顾低饱和电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。
应用范围：
功率半导体分为以元件单位构成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由该基本部件组成的模块 (Module)。下图所示为以IGBT为主的功率半导体在开关（工作）频率与输出电容关系图中的应用范围。
应用领域：
作为功率半导体的IGBT被广泛应用于从车载、工业设备、消费电子等各种领域。从以电车及HEV/EV等高输出电容的三相电机控制逆变器用途，到UPS、工业设备电源等的升压控制用途、IH(电磁感应加热)家用炊具的共振用途等，其应用领域正在逐渐扩增。
